美光已经发布了最新形式的DRAM，目前也已开始量产。它基于该公司的1-alpha(1α或第四代)10纳米(nm)节点，并且还首次集成了176层NAND。Micron断言，与其前代产品相比，其存储单元最多增加40%，功率效率提高15%。

同时也是Crucial品牌负责人的OEM厂商美光(Micron)推出了新的工艺技术，以此来制造未来的DRAM产品。该公司称其为1α节点，以表示其第四代10nm状态，迄今为止已用尽了1x，1y和1z面额。

因此，这一新工艺是美光在存储器领域的最新发展，其半间距(或每个DRAM芯片每个单元之间的距离的50%)在10至19nm之间。这种高密度规格是使用光刻技术实现的。

美光选择使用计算光刻技术而不是三星等其他公司青睐的极紫外(EUV)技术来制造其最新的 1αDRAM，并声称该技术尚未“准备就绪”。

显然，EUV的32nm波长范围对于美光公司选择的光掩模方法来说太短了(通过该方法，光通过石英“模板”将形成晶体管的微小图案“蚀刻”到硅晶片中)，因此其工艺工程师改为使用193nm光刻技术。 。

正如公司所声称的那样，与之前的1z节点相比，这导致了8至16吉比特(Gb)芯片的密度提高了40%，并且总体上提高了功率效率和可靠性。

美光公司断言，该过程将产生具有高端移动设备所需的“一流的LPDRAM性能”的新LPDDR5产品。它还将应用于其即将推出的其余产品中的大多数，包括OEM的服务器级LPDDR4和DDR4解决方案。